选型手册：VS3522AA4 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
旭日财富者威兆半导体推出的VS3522AA4是一款面向 30V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DFN22x6.5-8L 封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。
一、产品基本信息
- 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
- 核心参数：
- 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
- 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值3.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值4.2mΩ，低压场景下传导损耗低；
- 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)时9.2A，\(T=70^\circ\text{C}\)时降额为7.3A；
- 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：36.8A（\(T=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。
二、核心特性
- 快速开关 + 高效率：开关特性优异，适配高频低压电源场景；
- 环保合规：满足无卤及 RoHS 标准，适配绿色电子制造；
- 小封装高集成：DFN22x6.5-8L 封装体积小，适配小型化电路板设计。
三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）
| 参数 | 符号 | 数值（Rating） | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源极击穿电压 | \(V_{DSS}\) |
30 | V |
| 栅源极电压 | \(V_{GS}\) |
±20 | V |
| 二极管连续正向电流 | \(I_S\) |
13 | A |
| 连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)） | \(I_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 9.2；\(T=70^\circ\text{C}\): 7.3 |
A |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) |
36.8 | A |
| 最大功耗 | \(P_D\) |
\(T=25^\circ\text{C}\): 1.6；\(T=70^\circ\text{C}\): 1.8 |
W |
| 工作 / 存储温度范围 | \(T_J、T_{STG}\) |
-55~+150 | ℃ |
四、封装与应用场景
- 封装形式：DFN22x6.5-8L 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷；
- 典型应用：
- 30V 级低压小型 DC/DC 转换器；
- 消费电子、物联网设备的低压负载开关；
- 小型电源管理模块。
五、信息来源
威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际以最新版手册为准。）
