解析部分国产SiC碳化硅MOSFET厂商为追求性能指标时放弃栅氧可靠性底线的行业乱象

部分国产SiC碳化硅MOSFET厂商在追求性能指标时放弃栅氧可靠性底线的行业乱象，背后的根本原因可以从以下几个方面进行深度分析：

技术矛盾：

碳化硅MOSFET的设计中存在电性能参数（如导通电阻Rds(on)、开关损耗Qg）与栅氧可靠性之间的权衡。例如，减薄栅氧层可以显著降低导通电阻，但同时也会增加TDDB（时间相关介电击穿）和HTGB（高温栅偏）失效的风险。

市场需求与客户认知偏差：

下游客户（如充电桩、光伏逆变器制造商等）往往更关注显性参数（如成本、效率），而对隐性的长期可靠性关注度不高。这导致供应商倾向于优化电性能而非栅氧可靠性。

验证能力与认证漏洞：

多数客户缺乏独立验证栅氧可靠性的能力，车规认证（如AEC-Q101）也未强制公开详细的原始数据（如失效时间分布），使得部分厂商可以通过“擦边”测试来蒙混过关。

成本竞争与短期利益驱动：

部分厂商为了抢占市场份额，可能会采用低成本工艺，牺牲批次间的可靠性一致性。低价策略依赖于牺牲栅氧可靠性，形成“劣币驱逐良币”的效应。

市场机制失衡与监管缺位：

价格战导致的恶性竞争促使厂商降低成本，牺牲产品质量；而认证标准执行不严，未能识别早期设计缺陷，进一步加剧了这一问题。

行业信任危机与长远后果：

如果车载等高可靠领域发生故障，将严重损害品牌声誉，并可能导致厂商被剔除供应链。虽然初期可能因低价策略获得市场份额，但从长远来看，这种做法会削弱整个行业的信誉。

为了解决这些问题，需要从多个角度出发，包括但不限于加强技术研发、提高透明度、增强产业链协同、教育市场以及强化监管措施等。只有这样，才能实现从“低价内卷”到“高可靠赋能”的转型，确保国产SiC MOSFET在新能源、充电桩电源模块、储能变流器PCS与车载市场的竞争力。

审核编辑 黄宇